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AI引爆記憶體需求 「這家公司」股價1年飆漲逾1500％
2026/02/01 07:15初次上稿01-31 23:16 更新時間02-01 07：15科技媒體《Tomshardware》31日報導，在人工智慧（AI）資料中心與企業客戶的強勁需求下，快閃記憶體儲存設備製造商晟碟公司（Sandisk）股價1年來飆漲1500%。報導說，SanDisk 30日股價收盤576.25美元，較去年同
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LTN經濟通》美中貿易交鋒 這兩大廠打到不可開交
2024/07/30 07:22長江存儲二度告美光侵權歐祥義／核稿編輯中國晶片製造商長江存儲（YMTC）今年7月12日在美國加州北區聯邦地方法院，向美國記憶體大廠美光（Micron）提起訴訟，指控美光侵犯11項專利，要求法院下令美光停止在美國的相關記憶體產品銷售，並支付對應的使用費。
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作賊喊捉賊？長江儲存在美控告美光侵權
2024/07/20 07:30吳孟峰／核稿編輯中國半導體公司長江儲存（YMTC）已在美國加州北區對美光科技（Micron）提起訴訟，指控美光侵犯涉及3D NAND操作的11項專利。長江儲存請求法院命令美光停止在美國銷售美光記憶體晶片，同時判給其特許權使用費。長江儲存表示，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（
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卓揆參訪旺宏電子 肯定重視技術與人才培育
2024/07/16 20:12行政院院長卓榮泰率國科會主委吳誠文、新竹科學園區管理局新任局長陳宗權於今（16）下午赴旺宏電子參訪，旺宏電子董事長吳敏求親自導覽該公司的「創新產品與技術展示館（Show Room）」，旺宏不僅於３０多年前建置台灣首座TEM（穿透式電子顯微鏡）實驗室，也是是台灣首家研發先進3D NAND記憶體晶片的領
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晶片製造邁入「零度以下」 美媒 : SK海力士擬在-70°C生產3D NAND
2024/05/09 11:52林浥樺／核稿編輯晶片製造將進入零度以下。《Tom's Hardware》報導，SK海力士（SK hynix）正在測試東京電子的低溫蝕刻設備的性能。消息人士指出，SK 海力士已將測試晶圓送至Tokyo Electron（TEL）實驗室測試，而不是裝在自家晶圓廠，這有助於SK海力士進行評估。
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LTN經濟通》做賊喊捉賊？中國告美光想幹嘛
2023/11/28 07:19中國晶片製造商長江存儲（YMTC）11月9日在美國加州北區聯邦地方法院，向美國競爭對手美光（Micron）提起訴訟，指控美光侵犯8項專利。訴狀稱，美光利用這些專利技術，來對抗長江存儲的競爭，並藉此獲得、保護自己的市佔，也沒有支付合理的費用來使用這些專利。
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韓媒：中國長江存儲量產232層NAND 縮小與三星差距
2023/10/31 06:46韓國媒體《BusinessKorea》30日報導，中國記憶體巨頭長江存儲據悉已成功開發並量產232層3D NAND快閃記憶體，縮小了與韓企三星電子與SK海力士的差距。根據《南華早報》27日報導，半導體分析公司TechInsights在25日的一份報告揭露，他們在7月悄悄推出的1TB消費級固態硬碟（S
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美韓3大廠技術領先 中國記憶體龍頭落後擴大
2023/08/06 14:36隨著全球領先企業如美光、三星和SK海力士等採用尖端技術，中國追趕的能力受到美國制裁的阻礙，北京加入世界頂級記憶體晶片製造商、並想用國內本地產品替代進口的企圖心，面臨越來越大的風險。中媒南華早報指出，據分析師和業內人士表示，這種趨勢可能進一步嚴重阻礙中國開發大型人工智慧（AI）模型的能力，因為中國已依
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趕超三星、美光？中記憶體龍頭長江存儲傳擴產、今年試產192層產品
2021/01/12 15:56中國在美中貿易戰下，正積極推動科技產品自給自足，中國最大記憶體晶片製造商長江存儲傳出，其記憶體晶片產量將在今年增長1倍，以逐步追趕三星和美光的市佔率，長江存儲並預計，將在今年試生產192層3D NAND快閃記憶體。《日經新聞》今（12）報導，有兩知情人士透露，中國長江存儲計畫在2021年下半，將其每
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中國紫光加速記憶體布局 中媒：打破美日韓壟斷關鍵一戰
2019/09/11 10:22中國紫光集團加速發展記憶體領域，旗下的長江存儲近日宣布，已開始量產自主研發Xtacking架構的64層3D NAND快閃記憶體，是中國首款64層3D NAND晶片，中媒稱，這能讓中國與世界一流的3D NAND企業技術差距拉近到2年以內，被視為中國在存儲晶片領域，迎來打破美日韓壟斷的「關鍵一戰」。
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《國際現場》威騰Q4推最新3D NAND晶片
2018/10/24隨著自駕車時代來臨，半導體業者紛紛推出新產品，希望預先搶佔車用晶片市場。三星電子今年稍早就發表車用DRAM和NAND晶片，而全球第3大NAND製造商威騰電子（Western Digital）週一表示，第4季將發表全球首個3D NAND晶片i-NAND AT EU312 EFD。
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3D NAND研發創新結構 旺宏領先國際大廠
2017/11/30 09:57記憶體大廠旺宏電子（2337）昨宣布今年計有四篇論文入選國際電子元件大會（IEDM），成果超越國際記憶體大廠，其中一篇探討3D NAND創新結構的論文更獲得大會評選為「亮點論文」（Highlight Paper），是今年台灣產學研界唯一獲選的重要研究成果，再次凸顯旺宏在先進記憶體的研發實力持續受到國
